1MビットDRAM（1985年）
1985年（昭和60年）に開発に成功した新しいメモリセル構造の1MビットダイナミックRAM。メモリセル面積を従来の約1/3に縮小して面積の増加を少なくし、さらに、従来とは異なる独自のチップレイアウトを採用し、256Kとほぼ同じ大きさのプラスチックパッケージに搭載可能となりました。また、新たに開発したメモリセルはソフトエラーに強く、1Mビットにとどまらず、さらに高密度のDRAMにも適用可能なものでした。
アクセス・タイム 90ナノ秒（TRAC）、45ナノ秒（TCAC）
消費電力 動作時 350mw、スタンバイ時 15mw
電源電圧 5V
